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Nexperia startet e

Sep 30, 2023Sep 30, 2023

Nijmegen, 9. Mai 2023: Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, hat heute seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Anreicherungsmodus) für Anwendungen mit niedriger (100/150 V) und hoher (650 V) Spannung herausgebracht. Durch die Erweiterung seines Kaskodenangebots um sieben neue E-Mode-Geräte bietet Nexperia Designern nun neben seinem umfangreichen Portfolio an siliziumbasierten Leistungselektronikkomponenten die optimale Auswahl an GaN-FETs von einem einzigen Lieferanten.

Das neue Portfolio von Nexperia umfasst fünf für 650 V ausgelegte E-Mode-GaN-FETs (mit RDS(on)-Werten zwischen 80 mΩ und 190 mΩ) in wahlweise DFN 5×6 mm- und DFN 8×8 mm-Gehäusen. Sie verbessern die Leistungsumwandlungseffizienz in Hochspannungs-, Niedrigstrom- (<650 V) Datenkommunikations-/Telekommunikations-, Verbraucherlade-, Solar- und Industrieanwendungen. Sie können auch verwendet werden, um bürstenlose Gleichstrommotoren und Mikroserverantriebe für Präzision mit höherem Drehmoment und mehr Leistung zu entwickeln.

Nexperia bietet jetzt auch einen 100 V (3,2 mΩ) GaN-FET im WLCSP8-Gehäuse und ein 150 V (7 mΩ)-Gerät im FCLGA-Gehäuse an. Diese Geräte eignen sich für verschiedene Niederspannungsanwendungen (<150 V) und hohe Leistung, um beispielsweise effizientere DC-DC-Wandler in Rechenzentren, schnelleres Laden (E-Mobilität und USB-C) und kleinere LiDAR-Transceiver bereitzustellen , Audioverstärker der Klasse D mit geringerem Rauschen und Verbrauchergeräte mit höherer Leistungsdichte wie Mobiltelefone, Laptops und Spielekonsolen.

GaN-FETs bieten die höchste Leistungseffizienz bei der kompaktesten Lösungsgröße in vielen Stromumwandlungsanwendungen, Eigenschaften, die die Stückliste (BOM) erheblich reduzieren. Infolgedessen dringen GaN-Geräte zunehmend in die Mainstream-Märkte der Leistungselektronik ein, darunter Server-Computing, industrielle Automatisierung, Verbraucher- und Telekommunikationsinfrastruktur. GaN-basierte Geräte bieten die schnellste Übergangs-/Schaltfähigkeit (höchstes dv/dt und di/dt) und liefern eine überragende Effizienz bei Umwandlungsanwendungen mit niedriger und hoher Leistung. Die herausragende Schaltleistung der E-Mode-GaN-FETs von Nexperia ist auf sehr niedrige Qg- und QOSS-Werte zurückzuführen, während ihr niedriger RDS(on) energieeffizientere Designs ermöglicht.

Mit dieser Veröffentlichung bietet Nexperia nun ein breites Angebot an GaN-FET-Produkten für die breite Palette von Leistungsanwendungen an, die für die Technologie am besten geeignet sind, darunter Kaskodengeräte für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen sowie 650-V-E-Mode-Geräte für Hochspannung , Low-Power-Anwendungen und 100/150-V-E-Mode-Geräte für Niederspannungs-High-Power-Anwendungen. Darüber hinaus werden die E-Mode-GaN-FETs von Nexperia auf einer 8-Zoll-Waferlinie hergestellt, um die Kapazität zu erhöhen, und sind gemäß JEDEC-Standard für industrielle Anwendungen qualifiziert. Die Erweiterung seines GaN-Geräteangebots ist ein Beweis für Nexperias Engagement für hochwertiges Silizium und große Bandlücke Technologien.

Um mehr über die neuen 100-V-, 150-V- und 650-V-E-Mode-GaN-FETS von Nexperia zu erfahren, besuchen Sie: nexperia.com/gan-fets

Über Nexperia

Nexperia hat seinen Hauptsitz in den Niederlanden und ist ein globales Halbleiterunternehmen mit einer reichen europäischen Geschichte und über 15.000 Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten. Als führender Experte in der Entwicklung und Produktion wesentlicher Halbleiter ermöglichen die Komponenten von Nexperia die Grundfunktionalität praktisch jedes elektronischen Designs auf der Welt – von Automobil- und Industrieanwendungen bis hin zu Mobil- und Verbraucheranwendungen. Das Unternehmen bedient einen globalen Kundenstamm und versendet mehr als 100 Milliarden Produkte pro Jahr. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz – in Bezug auf Prozess, Größe, Leistung und Leistung. Das Engagement von Nexperia für Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strenge Branchenanforderungen zeigt sich in seinem umfangreichen IP-Portfolio, seiner wachsenden Produktpalette und seiner Zertifizierung nach den Standards IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.